Optical Properties of CVD-Deposited Dielectric Films for Microelectronic Devices
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Dielectric properties of electron-beam deposited Ga2Q3 films
We have fabricated high quality, dielectric GaaO, thin films. The films with thicknesses between 40 and 4000 A were deposited by electron-beam evaporation using a single-crystal high purity Gd,Ga,O,, source. Metal-insulator-semiconductor (MIS) and metal-insulator-metal structures (MIM) were fabricated in order to determine dielectric properties, which were found to depend strongly on deposition...
متن کاملStudy of Composition and Optical Properties of Chemically Deposited Pd-xSb2S3 Thin Films
The study reports on the effects of different concentration of palladium impurities on the compositional and optical properties of Palladium Doped Antimony Sulphide (Pd-xSb2S3) thin films grown by the chemical bath deposition method. The films were grown at room temperature and other deposition conditions such as the bath temperature, pH, complexing agents were kept constant. The concentration ...
متن کاملcontrol of the optical properties of nanoparticles by laser fields
در این پایان نامه، درهمتنیدگی بین یک سیستم نقطه کوانتومی دوگانه(مولکول نقطه کوانتومی) و میدان مورد مطالعه قرار گرفته است. از آنتروپی ون نیومن به عنوان ابزاری برای بررسی درهمتنیدگی بین اتم و میدان استفاده شده و تاثیر پارامترهای مختلف، نظیر تونل زنی(که توسط تغییر ولتاژ ایجاد می شود)، شدت میدان و نسبت دو گسیل خودبخودی بر رفتار درجه درهمتنیدگی سیستم بررسی شده اشت.با تغییر هر یک از این پارامترها، در...
15 صفحه اولOptical Properties of Dielectric and Semiconductor Thin Films
1. Theory . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1.1. Historical Note . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1.2. The General Problem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 1.3. Light–Matter Interaction . . . . . . . . . . . . ....
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Le Journal de Physique IV
سال: 1995
ISSN: 1155-4339
DOI: 10.1051/jphyscol:19955100