Optical Properties of CVD-Deposited Dielectric Films for Microelectronic Devices

نویسندگان
چکیده

برای دانلود رایگان متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Dielectric properties of electron-beam deposited Ga2Q3 films

We have fabricated high quality, dielectric GaaO, thin films. The films with thicknesses between 40 and 4000 A were deposited by electron-beam evaporation using a single-crystal high purity Gd,Ga,O,, source. Metal-insulator-semiconductor (MIS) and metal-insulator-metal structures (MIM) were fabricated in order to determine dielectric properties, which were found to depend strongly on deposition...

متن کامل

Study of Composition and Optical Properties of Chemically Deposited Pd-xSb2S3 Thin Films

The study reports on the effects of different concentration of palladium impurities on the compositional and optical properties of Palladium Doped Antimony Sulphide (Pd-xSb2S3) thin films grown by the chemical bath deposition method. The films were grown at room temperature and other deposition conditions such as the bath temperature, pH, complexing agents were kept constant. The concentration ...

متن کامل

control of the optical properties of nanoparticles by laser fields

در این پایان نامه، درهمتنیدگی بین یک سیستم نقطه کوانتومی دوگانه(مولکول نقطه کوانتومی) و میدان مورد مطالعه قرار گرفته است. از آنتروپی ون نیومن به عنوان ابزاری برای بررسی درهمتنیدگی بین اتم و میدان استفاده شده و تاثیر پارامترهای مختلف، نظیر تونل زنی(که توسط تغییر ولتاژ ایجاد می شود)، شدت میدان و نسبت دو گسیل خودبخودی بر رفتار درجه درهمتنیدگی سیستم بررسی شده اشت.با تغییر هر یک از این پارامترها، در...

15 صفحه اول

Optical Properties of Dielectric and Semiconductor Thin Films

1. Theory . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1.1. Historical Note . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1.2. The General Problem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 1.3. Light–Matter Interaction . . . . . . . . . . . . ....

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Le Journal de Physique IV

سال: 1995

ISSN: 1155-4339

DOI: 10.1051/jphyscol:19955100